RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3834
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link