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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
60
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
60
Velocidad de lectura, GB/s
18.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
14.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3457
2359
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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