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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
62
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
21
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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