RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link