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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
65
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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