RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link