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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3162
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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