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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Compara
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3152
3392
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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