RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Compara
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
74
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
1616
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link