RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2792
2808
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link