RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
47
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1769
2808
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link