RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Compara
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
3835
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link