RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.1
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
969
3804
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link