RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
80
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
80
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
1775
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link