RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2408
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link