Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Puntuación global

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

33 41

En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.1 10.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.0 7.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 10600

En 2.42 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1335 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns