RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
72
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
72
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1982
1817
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link