RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
4064
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link