RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
40
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3028
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link