RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2739
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link