RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
71
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
48
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3047
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link