RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
90
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
90
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1743
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link