RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
48
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
48
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2852
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link