RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
25
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
20
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3726
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link