RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
62
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
62
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1772
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link