Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Puntuación global

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

40 41

En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.6 8.2

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2240 2205

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns