RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link