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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3587
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Jinyu 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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