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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2619
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
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