RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
74
81
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
81
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
1634
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link