RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2890
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link