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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1908
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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