RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
2358
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link