RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3372
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link