RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Compara
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Puntuación global
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
52
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
1,904.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,850.6
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,904.4
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
913
3738
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link