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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
1984
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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