RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
3650
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link