RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3294
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link