RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
4039
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link