RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2876
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link