RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
43
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2058
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link