RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2322
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link