RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
66
En -200% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3051
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link