RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
63
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2779
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link