RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2536
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link