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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
50
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3895
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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