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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
87
En -156% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2974
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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