RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
53
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3587
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link