RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
94
Autour de -161% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
36
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2231
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link