RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
94
Autour de -224% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
29
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3086
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link